SI4712DY-T1-GE3

Nambari ya Sehemu ya Mtengenezaji:	SI4712DY-T1-GE3
Mtengenezaji:	Vishay / Siliconix
Sehemu ya Maelezo:	MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SO
Laha za data:	SI4712DY-T1-GE3 Laha za data
Kuongoza Hali ya Bure / Hali ya RoHS:	Uongozi Bila Malipo / Unaofuata RoHS
Hali ya Hisa:	Katika Hisa
Meli Kutoka:	Hong Kong
Njia ya Usafirishaji:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

TAMBUA: Vishay / Siliconix SI4712DY-T1-GE3 inapatikana katika chipnets.com. Tunauza Sehemu Mpya na ya Asili pekee na tunatoa muda wa udhamini wa mwaka 1 pekee. Ikiwa ungependa kujua zaidi kuhusu bidhaa au kuomba bei bora zaidi, tafadhali wasiliana nasi bonyeza Gumzo la Mtandaoni au utume nukuu kwetu.

Vipengee vyote vya Elektroniki vitapakia kwa usalama sana kwa ulinzi wa antistatic wa ESD.

package

Vipimo

Aina	Maelezo
Mfululizo	SkyFET®, TrenchFET®
Kifurushi	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Hali ya Sehemu	Obsolete
Aina ya FET	N-Channel
Teknolojia	MOSFET (Metal Oxide)
Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss)	30 V
Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C	14.6A (Tc)
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (Upeo)	±20V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds	1084 pF @ 15 V
Makala ya FET	-
Utaftaji wa Nguvu (Upeo)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
Joto la Uendeshaji	-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka	Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha muuzaji	8-SO
Kifurushi / Kesi	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

KUNUNUA CHAGUO

Hali ya Hisa: Usafirishaji wa Siku Moja

Kiwango cha chini: 1

Kiasi	Bei ya Kitengo	Ext. Bei
Bei haipatikani, tafadhali RFQ

Hesabu ya mizigo

US $ 40 na FedEx.

Fika ndani ya siku 3-5

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Usafirishaji bila malipo kwa 0.5kg ya kwanza kwa maagizo ya zaidi ya $150,Uzito uliozidi utatozwa kando

Mifano Maarufu

Kipengee hiki kimeongezwa kwenye rukwama yako.