NE5230DR2G

Nambari ya Sehemu ya Mtengenezaji:	NE5230DR2G
Mtengenezaji:	Rochester Electronics
Sehemu ya Maelezo:	IC GP OPAMP 1 CIRCUIT 8SOIC
Laha za data:	NE5230DR2G Laha za data
Kuongoza Hali ya Bure / Hali ya RoHS:	Uongozi Bila Malipo / Unaofuata RoHS
Hali ya Hisa:	Katika Hisa
Meli Kutoka:	Hong Kong
Njia ya Usafirishaji:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

TAMBUA: Rochester Electronics NE5230DR2G inapatikana katika chipnets.com. Tunauza Sehemu Mpya na ya Asili pekee na tunatoa muda wa udhamini wa mwaka 1 pekee. Ikiwa ungependa kujua zaidi kuhusu bidhaa au kuomba bei bora zaidi, tafadhali wasiliana nasi bonyeza Gumzo la Mtandaoni au utume nukuu kwetu.

Vipengee vyote vya Elektroniki vitapakia kwa usalama sana kwa ulinzi wa antistatic wa ESD.

package

Vipimo

Aina	Maelezo
Mfululizo	-
Kifurushi	Bulk
Hali ya Sehemu	Obsolete
Aina ya Amplifier	General Purpose
Idadi ya Mizunguko	1
Aina ya Pato	Rail-to-Rail
Kiwango cha Kuanguka	0.25V/µs
Pata Bidhaa ya Bandwidth	600 kHz
-3db Bandwidth	-
Sasa - Upendeleo wa Ingizo	40 nA
Voltage - Pembejeo ya Kuingiza	400 µV
Ugavi wa Sasa	1.1mA
Sasa - Pato / Kituo	32 mA
Ugavi wa Voltage, Moja / Dual (±)	1.8V ~ 15V, ±0.9V ~ 7.5V
Joto la Uendeshaji	0°C ~ 70°C
Aina ya Kuweka	Surface Mount
Kifurushi / Kesi	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Kifurushi cha Kifaa cha muuzaji	8-SOIC

KUNUNUA CHAGUO

Hali ya Hisa: 25542

Kiwango cha chini: 1

Kiasi	Bei ya Kitengo	Ext. Bei
Bei haipatikani, tafadhali RFQ

Hesabu ya mizigo

US $ 40 na FedEx.

Fika ndani ya siku 3-5

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Usafirishaji bila malipo kwa 0.5kg ya kwanza kwa maagizo ya zaidi ya $150,Uzito uliozidi utatozwa kando

Mifano Maarufu

	NE5230DR2G Rochester Electronics
	NE5230DG Rochester Electronics
	NE5234N/01,112 NXP Semiconductors
	NE5232N/01,112 NXP Semiconductors
	NE5234D,518 NXP Semiconductors
	NE5232D/01,112 NXP Semiconductors
	NE5230N Rochester Electronics
	NE5230D Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NE5230NG Rochester Electronics
	NE5232D/01,118 NXP Semiconductors

Kipengee hiki kimeongezwa kwenye rukwama yako.